原標題：HBM新變局，攪動存儲江湖
對于PC DIY玩家而言，過去幾個月可能是近十年來最糟糕的時刻。
DDR4和DDR5內存價格不斷飆升，固態硬盤在悄然跟漲，甚至顯卡廠商也在密謀漲價，組裝電腦成本每天都在變得昂貴，一部分人選擇繼續等待，一部分人選擇降配省錢，也有一部分人無奈選擇高價買入。
但更壞的消息已經出現，美光科技宣布，將在2026年2月底前全面關閉旗下運營了29年的Crucial消費品牌業務，這個曾經在DIY市場上以物美價廉的原廠品牌，正式退出歷史舞臺。
這一決定并非突然。美光首席商務官Sumit Sadana直言不諱地指出；“AI驅動的數據中心增長引發了對存儲器的需求激增。美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務，以改善對更大規模、戰略性客戶的供應和支持?！?/p>
在三大原廠之一的美光看來，消費級內存和SSD處于自己產品組合中利潤率*的一端，需要在高度波動、價格競爭激烈的市場中掙扎。相比之下，數據中心和企業級產品能鎖定長期合同、更高的平均售價和更可預測的需求。
除此之外，目前AI基礎設施對存儲晶圓的需求早已達到了前所未有的程度，這意味著每一片分配給消費產品的晶圓，都會造成超大規模數據中心客戶或企業合同的交付延誤。而即便是縮減規模的消費業務，仍需要*限度的供應鏈支持，包括產品開發、固件驗證、合規測試、銷售團隊、零售關系和全球保修運營，這些固定成本在產量縮減時幾乎不會下降。
不止是美光，三星和海力士也是如此，對于這些巨頭來說，完全關閉消費業務、釋放產能和研發資源用于HBM4/HBM4E、企業級固態硬盤和高密度服務器內存模塊，似乎就是最理智的戰略選擇。
美光，打響HBM突圍戰
在宣布退出消費市場的同時，美光正在日本西部籌劃一場規模*的產業布局。據知情人士透露，美光將投資1.5萬億日元（約96億美元）在廣島東廣島市建設下一代高帶寬內存（HBM）芯片生產廠。
這座新工廠計劃于2026年5月開工建設，目標是在2028年左右開始出貨HBM芯片。日本經濟產業省將為該項目提供高達5000億日元的補貼。這將是美光自2019年以來建設的首座新工廠，也被定位為世界上*進的HBM芯片生產基地之一。
時機的選擇耐人尋味。今年5月，美光已在廣島工廠首次引入極紫外光刻（EUV）系統用于大規模生產——這是生產先進芯片所需的最昂貴制造設備。而隨著美中對抗加劇以及臺灣地緣政治風險上升，美光此前集中在臺灣的先進HBM芯片生產正面臨供應鏈多元化的壓力。
日本新廠的建設，不僅能為美光確保關鍵的HBM產能，也使日本能夠在國內獲得AI芯片的核心組件供應。這座工廠預計將幫助美光追趕在HBM技術領域保持*的韓國SK海力士。
然而，美光在HBM競賽中的處境依然嚴峻。根據JPMorgan數據，2024年SK海力士占據55%的HBM市場份額，三星占40%，而美光僅有5%。匯豐銀行的數據顯示，美光每月晶圓級HBM芯片產能約5.5萬片，僅為三星（15萬片）和SK海力士（16萬片）的三分之一。
更糟糕的是，韓媒報道稱美光的HBM4產品難以滿足英偉達嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使公司重新設計芯片架構。如果屬實，這將導致量產計劃延遲長達9個月，HBM4上市時間推遲到2026年，并使其無法按時完成英偉達訂單。業內人士指出："美光目前甚至難以滿足英偉達的訂單量，在結構上根本無法同時滿足谷歌ASIC客戶的大規模需求。"
這也解釋了為何在谷歌TPU供應鏈中，美光實際上已經退出——產能限制使其無法同時服務多個大客戶，最終韓國企業在規模經濟競爭中占據了上風。
此次關閉 Crucial 品牌、在日本大手筆擴產，是美光為扭轉其在 HBM 競爭中產能落后局面所采取的關鍵舉措。消費級業務的收縮，意味著更多資本、設備與技術人力可以投入到 HBM 這條高增長賽道。顯而易見，這一決策展現了美光對下一階段競爭格局的清晰判斷。
SK海力士，從逆襲到壟斷
SK海力士的HBM之路是一部逆襲史。在2016年的Hot Chips研討會上，當美光工程師尖銳批評HBM、力推混合內存立方體（HMC）時，SK海力士的演講者只是低調介紹HBM3計劃，并暗諷“即使是小玩家也能從大玩家手中搶走糖果”。
那時很少有人能想象，這個在HBM2市場遭遇挫折、內部士氣低落的公司，會在幾年后占據全球HBM市場62%的份額。
轉折點是HBM2E，SK海力士認識到HBM需要與傳統DRAM完全不同的開發方法——必須嚴格遵守客戶時間表和規格，否則什么也賣不出去。公司組建了跨職能任務小組，高層強調組織敏捷性和跨團隊協調，并在封裝技術上做出關鍵改變——從熱壓縮非導電膜轉向批量回流模塑底部填充，顯著提升了工藝效率和散熱性能。
另一個優勢是定制化能力。雖然HBM遵循JEDEC標準，但每個客戶都有獨特要求。SK海力士堅持“客戶永遠是對的”原則，根據需求調整設計。
在即將到來的 HBM4 競爭中，海力士同樣將“定制化”視為制勝的關鍵方向。
日前，SK 海力士發布了“全棧式 AI 內存創造者（full-stack AI memory creator）”愿景，以應對這一市場變化。其意圖不僅是提供標準化內存產品，而是從 AI 半導體的設計階段就與客戶協同，共同打造“定制化產品”，并提升整體結果。
本月 5 日，SK 海力士開放了新一批社招崗位，面向“定制內存設計（custom memory design）”領域招募專家。崗位將開放到 15 日，涉及HBM電路設計、物理設計和數字設計。
尤其是在“客戶定制化產品”相關的數字設計體系方面，SK 海力士重點招募擁有 RTL 設計、前端和后端經驗的資深工程師。在招聘公告中，SK 海力士表示，HBM 數字設計體系的職責包括“與客戶溝通需求、編寫詳細規格”，并補充說明“團隊將在客戶需求基礎上開展 RTL 設計，并與相關部門共同定義 IP（知識產權模塊）的行為規范”。
除了數字設計體系，SK 海力士在其他社招崗位中也強調“客戶定制能力”。例如，HBM 電路設計體系被定義為“與全球* AI 客戶協作，主導 HBM 技術的組織”；而物理設計體系則“基于代工廠工藝設計套件（PDK）和 EDA 工具，負責實現全定制設計”。
值得關注的是，在12月4日發布的“2026 年組織架構調整與高管任命”中，SK 海力士同樣將重點放在擴大定制內存業務上。公司為定制（Tailored）HBM 封裝新設立了良率與質量專責組織，稱這是“為及時應對定制化內存市場擴張而做出的調整”。
同時，公司也將加強與正在自研 AI 芯片的全球科技巨頭的接觸。SK 海力士計劃在美洲設立 HBM 技術專責組織，以便為客戶提供更及時的技術支持。此外，還將組建“全球基礎設施”組織，加強全球制造競爭力，包括在美國印第安納州建設先進封裝工廠。
在美國、中國、日本等關鍵地區，公司將設立“全球 AI 研究中心”，以吸引人才并強化系統研究能力，同時新設“Intelligence Hub”這一以客戶為中心的矩陣式組織，將客戶、技術和市場信息整合到一個 AI 系統中，為客戶提供“超預期價值”。
SK 海力士所瞄準的“定制化內存”已經在行業中逐步顯現。一個典型案例是英偉達最近公布、目標于 2026 年量產的下一代 AI 半導體平臺 Rubin。該平臺采用 HBM4（第 6 代）作為 GPU 內存，CPU 采用 LPDDR5X（低功耗 DRAM），而面向推理優化的加速器 CPX 則搭載 GDDR7（圖形 DRAM）。
一位半導體行業人士指出：“傳統那種把 DRAM 和 NAND 統一掛在 CPU 上的內存架構正在瓦解，行業正轉向‘按功能優化的內存架構’。能否掌握與之匹配的設計與制造能力，正在成為未來競爭力的關鍵分水嶺?！?/p>
此外，還值得關注的是SK海力士2026年的擴張策略。韓媒報道稱，SK海力士明年除積極擴產HBM外，也將全力擴充通用DRAM產能。HBM新增產能主要集中在本季度竣工投產的清州M15X晶圓廠，而通用DRAM新產能將來自清州M8、利川M10、M14、M16等現有晶圓廠。其預計，SK海力士的通用DRAM產能將在2026年擴大至每月7萬片晶圓，但實際上有望通過進一步擴產提前達到月投片量10萬的2027年目標。
韓媒還爆料稱，SK海力士與英偉達談判中占據上風，成功將HBM4價格上調超過50%，單價約500美元以上，預期明年營業利潤可能突破70萬億韓元。雖然SK海力士回應稱此為“不實消息”，但市場普遍認為HBM4毛利率約達60%，若維持今年水準，HBM業務明年將創造約25萬億韓元營業利潤。
對于已在市場中占據*地位的海力士而言，強化定制化與持續擴產是一套穩健可靠的雙線策略：一方面通過深度定制鎖定客戶，另一方面以更大的產能承接需求，整體競爭態勢幾乎立于不敗。
三星，絕地翻盤
對三星電子而言，2024 年第二季度無疑是災難性的。Counterpoint Research 數據顯示，其 HBM 市場份額從去年第四季度的 40% 暴跌至 15%，不僅落后于 SK 海力士（64%），甚至被美光（21%）反超，跌至行業第三。
然而，谷歌 TPU 生態系統的擴張為三星提供了強勁的反擊窗口。TPU 是谷歌與博通合作打造的 AI 加速芯片，每顆芯片集成 6 至 8 顆 HBM。目前，三星和 SK 海力士是谷歌 TPU 的核心 HBM 供應商，今年雙方大致平分了谷歌的供應份額，甚至部分月份三星略占優勢。
韓國券商分析師預測：“谷歌第七代 TPU 將在今年采用 HBM3E，明年第八代產品將升級至 HBM4。三星明年對谷歌的供應量將是今年的兩倍以上?！狈治鋈耸科毡檎J為，隨著三星產能快速擴張，明年的競爭格局很可能發生逆轉。
事實上，三星近期實現的反超已經開始顯現。根據來自韓國業內的最新消息，三星電子的 HBM 月產能已提升至 17 萬片（按晶圓投入計），超過 SK 海力士的 16 萬片，重新奪回行業*的位置。分析認為，這一成績來自三星去年下半年以來持續推進的“刮骨式改革”——包括大規模將通用 DRAM 產線轉換為 HBM 產線、集中攻克良率瓶頸，以及研發體系的全面調整。
三星電子在領導層層面也同步推進激進改革。11 月 27 日有消息人士透露，三星召開高管會議，正式確認 DS（半導體）部門的組織重組：原 HBM 開發團隊被并入 DRAM 開發實驗室的設計團隊，由副總裁孫英洙出任負責人。這次重組正是副會長全英賢（Jeon Young-hyun）去年 7 月上任后強力推動 HBM 戰略的延續。事實上，全英賢上任僅兩個月便成立了 HBM 開發團隊，并將先進封裝（AVP）業務團隊調整為直屬管理架構。
在新的組織體系下，三星計劃加速下一代 HBM4／HBM4E 的開發。目前，三星已向客戶交付 HBM4 樣品，預計近期將通過關鍵的質量認證。同時，三星在向谷歌 TPU大規模供應 HBM 方面也獲得突破性進展。業內人士指出：“三星加強與英偉達、AMD、OpenAI 等全球科技巨頭的合作后，已經獲得一定程度的 HBM4 相關技術驗證，因此將原應急性質的團隊并入常規組織，以提高效率并準備在明年全面擴大市占率。”
在組織重整之外，三星真正的底氣依舊在于產能、規模與 IDM 綜合能力。匯豐銀行數據顯示，截至今年底，三星 HBM 月產能約為 15 萬片，并預計在 2027 年提升到 19 萬片。根據韓國業內最新數據，這一數字已提前增長至 17 萬片。三星正在加速將平澤園區的部分 DRAM 產線（P3、P4）轉換為用于生產 1c（10nm 級、第六代）DRAM 的 HBM 產線，也已經著手推動平澤 P5 廠房建設，以應對新一輪存儲超級周期。
隨著定制化 HBM 時代全面來臨，三星的 IDM 一體化優勢將被進一步放大。SK 海力士選擇與臺積電組建 One Team 聯盟，利用臺積電邏輯工藝生產關鍵 base die，以突破瓶頸；而三星則亮出其王牌——從設計、DRAM、邏輯、到封裝全部自研自造的 turnkey（交鑰匙）模式，依托自家代工工藝生產 HBM 的邏輯層，以在效率、時程與成本上形成整體優勢。
HBM 的利潤空間也讓競爭更加激烈。由于 HBM 單價是傳統 DRAM 的 3 至 5 倍，其在 DRAM 總收入中的占比今年將從去年的 8% 躍升至超過 20%。隨著三星重新奪回 HBM 產能*的位置，并持續搶占市場份額，其營業利潤率預計將明顯改善。尤其在全球大型科技公司（如谷歌、亞馬遜、Meta）加速開發自有 AI 加速器、并提出多樣化的定制化 HBM4E 需求時，三星憑借其快速響應能力、設計整合能力和自有代工工藝，正在掌握越來越多的主動權。
據悉，三星已完成 HBM4 的開發，并在展會上首次公開展示實物，預計將在 2025 年第四季度上市。量產計劃基于 10nm 級 1c DRAM 工藝，目標是在速度與能效上取得*。作為 HBM4 量產關鍵的邏輯層良率已提升至 90%，DRAM 堆疊單元良率也突破量產門檻。
相比美光與 SK 海力士，三星的體量既是負擔也是底牌：規模龐大導致動作不夠靈活，卻也為其提供了更強的資源調度與技術整合能力。而隨著 AI 巨頭加速自研加速器、對定制化 HBM 的需求激增，擁有全棧 IDM 能力的三星，反而具備了在下一輪競爭中掀起格局重排的潛力。
結語
美光砍掉29年消費品牌豪擲96億美元，SK海力士大刀闊斧重組押注定制化，三星憑借谷歌TPU訂單完成絕地反擊——存儲產業正經歷一場*的戰略分化。
這場變局的本質，是AI時代對存儲技術范式的徹底重構。HBM已不僅是一款產品，更象征著產業邏輯的全面轉向：從規?；慨a轉向精準定制，從價格血戰轉向技術壁壘，從多元供應轉向戰略深度綁定。
在這場轉型中，消費市場淪為配角，傳統DRAM價格暴漲，PC供應鏈承壓——這些都是AI基礎設施狂吸存儲資源的連鎖反應。而那些在HBM賽道掉隊、產能捉襟見肘的玩家，都將面臨被邊緣化的宿命。
可以說，存儲行業的游戲規則已被徹底改寫。群雄逐鹿，鹿死誰手，一切尚未可知。